スルホン化フッ素含有重合体、それを含有する樹脂組成物および高分子電解質膜

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147076
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】スルホン酸基の導入量が制御されており、高分子電解質膜の材質として用いた際に高温でも優れた性質を示すスルホン化フッ素含有重合体を提供する。【解決手段】繰返し単位に含まれる結合単位中の芳香族環に選択的に、芳香族環1環あたり1個ずつスルホン酸基が導入されるように、スルホン酸基の数を制御しながらスルホン化されたスルホン化フッ素含有重合体。ここで、前記結合単位は、特定の構造を有する結合単位の群の中から選ばれる。また、前記スルホン化フッ素含有重合体は、対数粘度が0.1以上であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

下記の式(1)で表わされる繰返し単位と、下記の式(2)で表わされる繰返し単位とを含有するスルホン化フッ素含有重合体。-Ar1-O-Ar2-O-・・・(1)(式(1)において、Ar1は下記の式(3)で表わされる結合単位を示し、Ar2は下記の式(4)で表わされる結合単位を示す。)-Ar1-O-Ar3-O-・・・(2)(式(2)において、Ar1は下記の式(3)で表わされる結合単位を示し、Ar3は下記の式(5a)〜(5e)のいずれかで表わされる結合単位を示す。)【化1】(式(3)においては、Aはケトン基またはスルホン基を示す。C〜GまたはH〜Lよりなる各群から選ばれる各1個の部位は、ポリマー鎖を形成する結合を構成し、残りの部位は水素またはハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基である。さらに、式(3)および式(4)においては、C〜G、H〜L、M〜QおよびR〜Vよりなる群から選ばれる少なくとも1個の部位はフッ素原子である。)【化2】(式(4)においては、Bは直接結合、スルホン基、ケトン基、エーテル基または炭素数1〜6のアルキリデン基を示す。また、M〜QまたはR〜Vよりなる各群から選ばれる各1個の部位は、ポリマー鎖を形成する結合を構成し、残りの部位は水素またはハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基である。さらに、式(3)および式(4)においては、C〜G、H〜L、M〜QおよびR〜Vよりなる群から選ばれる少なくとも1個の部位はフッ素原子である。)【化3】(式(5a)〜(5e)のいずれかにおいて、n1〜n19は芳香族環あたりのスルホン酸基の配位数を表わし、n1〜n19は0〜2の整数であり、n1+n2+n3は1〜6の整数であり、n4+n5+n6+n7,n8+n9+n10+n11,n12+n13+n14+n15,n16+n17+n18+n19は1〜8の整数である。Z1〜Z19は、炭素原子数1〜6の低級アルキル基、炭素原子数1〜6の低級アルコキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、よりなる群から選ばれる一種または二種以上の官能基であり、r1〜r19は、芳香族環あたりのZ1〜Z19で表わされる官能基の配位数を表わし、rk(k=14、15)は0〜3の整数であり、rk(k=2,3,5,6,8〜11,12〜13,16〜19)は0〜4の整数であり、rk(k=1,4,7)は0〜5の整数である。また、nk+rk≦3(k=14、15)、nk+rk≦4(k=2,3,5,6,8〜13,16〜19)、nk+rk≦5(k=1,4,7)である。)

IPC (7件)：

C08G 65/48 , C08J 5/22 101 , C08J 5/22 CEZ , H01B 1/06 , H01M 8/02 , H01M 8/10 , C08L 71:00

FI (7件)：

C08G 65/48 , C08J 5/22 101 , C08J 5/22 CEZ , H01B 1/06 A , H01M 8/02 P , H01M 8/10 , C08L 71:00 Z

Fターム (13件)：

4F071AA51 , 4F071AA78 , 4F071AA88 , 4F071AH15 , 4J005AA24 , 4J005BD04 , 4J005BD06 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA06 , 5H026CX05 , 5H026EE19 , 5H026HH00

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