特許

J-GLOBAL ID：200903047094258717

クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 宋 利憲 ,  朴 永洙 ,  姜 東勳 ,  金 昌▲ジュン▼ ,  林 赫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273037
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103732
出願日： 2007年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタにおいて、基板と、基板上の一領域に形成されるゲートと、基板及びゲート上に形成されるゲート絶縁層と、ゲートに対向するゲート絶縁層上に形成されてZnOを含むチャンネルと、チャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されるソース及びドレインとを備えるクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタにおいて、 基板と、 前記基板上の一領域に形成されるゲートと、 前記基板及びゲート上に形成されるゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上において前記ゲートに対向する領域に形成されてZnOを含むチャンネルと、 前記チャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されるソース及びドレインとを備えることを特徴とするクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L27/10 471 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/10 451

Fターム (31件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA19 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F110AA04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42