特許
J-GLOBAL ID：200903047095457187
強磁性サマリウム物質におけるスピン・軌道補償特性とその制御方法及び該特性を利用した荷電粒子スピン分解素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340500
公開番号（公開出願番号）：特開平11-144927
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 物質中の電子スピンの偏極方向が巨視的な領域にわたって一方向に揃っておりかつ磁化を持たない状態を実現・制御する。また該状態の応用として、強磁性体で構成されかつ磁区の形成、漏洩磁場の発生などの問題を伴わない荷電粒子のスピン分解素子を提供する。【解決手段】 磁化が主として物質を構成するサマリウムによって担われている適当な強磁性体を選択し、これに必要に応じて元素の置換・添加などを施してスピン磁気モーメントによる磁化と軌道磁気モーメントによる磁化とが任意の温度(補償温度)において相殺するよう制御する。磁化を有する温度において磁場をかけることにより該物質中の電子スピンの偏極方向を揃え、温度を補償温度に移行して磁場を0とすることにより目的の状態を得る。また、該物質を材料としてスピン分解素子を構成する。
請求項（抜粋）：
磁化が主として物質を構成するサマリウムによって担われている強磁性体において実現される、スピンが巨視的な領域にわたって強磁性的配列を保ちかつ軌道磁気モーメントに起因する磁化がスピン磁気モーメントに起因する磁化を補償するために磁化が発生しない状態。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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