特許

J-GLOBAL ID：200903047106648052

ウェハ

発明者： 小高 文雄 ,  高橋 佳智
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091171
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 炭化ケイ素焼結体をダミーウェハの材料として用いることにより、シリコンウェハの製造工程で使用する際、変形度が少なく、耐久性に優れ、放電加工可能なダミーウェハを提供すること。【解決手段】 変形度が、120%以下であり、且つ反応焼結法により得られ、窒素を150ppm以上含有する炭化ケイ素焼結体から形成されたことを特徴とするウェハ。

請求項（抜粋）：

変形度が、120%以下であり、且つ反応焼結法により得られ、窒素を150ppm以上含有する炭化ケイ素焼結体から形成されたことを特徴とするウェハ。