スパッタリング装置およびスパッタリング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239760
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】膜特性、特に膜の等方性が良好な薄膜を生産性良く形成することができるスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。【構成】スパッタリング室1内にスパッタリング源10が設置され、このスパッタリング源10にターゲット11が設けられ、スパッタリング源10に給電してターゲット11近傍にプラズマを生成させる。自転公転可能な基板ホルダ4に基板を装着し、ターゲット11から放出されたスパッタリング粒子を基板5に被着させる。このとき、基板ホルダの公転軸と自転軸との距離をDs、基板ホルダの公転中心と前記ターゲットの中心とのターゲット面と平行な方向の距離をDt、ターゲット面と基板ホルダに保持された基板表面とのターゲット面と垂直な方向の距離をH、ターゲット中心とターゲットのエロージョン部最外側位置との距離をEとした場合に、Ds+Dt≧E+0.1H、|Ds-Dt|≦E+0.1Hの関係を満たす。

請求項（抜粋）：

ガス供給系と排気系とが設けられたスパッタリング室と、このスパッタリング室内に設置されたスパッタリング源と、このスパッタリング源に設置されたターゲットと、前記スパッタリング源に給電して前記ターゲット近傍にプラズマを生成させるための電源と、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子を被着させるための基板を支持すると共に自転公転可能な基板ホルダとを具備するスパッタリング装置であって、前記基板ホルダの公転軸と自転軸との距離をDs、前記基板ホルダの公転中心と前記ターゲットの中心とのターゲット面と平行な方向の距離をDt、ターゲット面と基板ホルダに保持された状態の基板の表面とのターゲット面と垂直な方向の距離をH、ターゲットの中心とターゲットのエロージョン部最外側位置との距離をEとした場合に、Ds+Dt≧E+0.1H|Ds-Dt|≦E+0.1Hの関係を満たすことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/50 , H01F 41/18

FI (4件)：

C23C 14/34 J , C23C 14/34 P , C23C 14/50 H , H01F 41/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭55-050466
特開昭51-121487
特開平3-100171

審査官引用 (3件)

特開昭55-050466
特開昭51-121487
特開平3-100171

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