特許
J-GLOBAL ID：200903047112927818
半導体装置の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259491
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 特性の高い集積型太陽電池を歩留りよく製造する製造法を提供する。【構成】 パターニングされた第1電極層2が形成された絶縁性基板1上に、非晶質半導体を含む半導体層3からなる光電変換体および第2電極層4をこの順で堆積させた後、前記第1電極層2の分離線に沿って、第2電極層4および半導体層3を貫通する第1開口部5および第2開口部6を並列的に形成し、この第1開口部5に第1電極層2と第2電極層4を直列接続する第3電極体7を形成するものである。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、同一平面上に形成された少なくとも2以上の区画からなる非晶質半導体層からなる光電変換体を含む太陽電池を、該絶縁性基板上で電気的に直列に接続してなる半導体装置の製造法であって、前記絶縁性基板上に形成された第1電極層を電気的に絶縁された少なくとも2以上の区画に分離する工程と、該第1電極層上に非晶質半導体を含む半導体層からなる光電変換体および第2電極層をこの順に積層形成する工程と、前記第1電極の分離部分に沿って、前記非晶質半導体層からなる光電変換体と前記第2電極層とを貫通して、前記第1電極層が露出するように第1開口部を形成する工程と、前記第1開口部に沿って、前記非晶質半導体層からなる光電変換体と前記第2電極層とを貫通して、前記第1電極層が露出するように第2開口部を形成する工程と、前記第1開口部により露出された第1電極層と、前記開口部により分離された第2電極層とを直列接続する第3電極体を、前記第1開口部に形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造法。
引用特許：
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