特許
J-GLOBAL ID：200903047113442842
エッヂ強調型位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341496
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造に用いられるエッヂ強調型位相シフトマスクに関するもので、ガラス基板上に設けられたマスクパターン(一般にクロムで形成されているパターン)とその上に形成されているシフターの端部(エッヂ部)において、前記マスクパターンとシフターとの距離が左右非対称になりがちであり、このため半導体基板上にこのマスクを使ってパターンを形成する際、露光の光分布が左右で異なり、満足なパターンが得られないといった問題点を除去することを目的とするものである。【構成】 ガラス基板21上に設けたマスクパターン22の両側にサイドウォール状にシフター24を設けたものである。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に設けられたマスクパターンの両端部に、サイドウォール状にシフターを設けて成ることを特徴とするエッヂ強調型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
