特許
J-GLOBAL ID：200903047118050047
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243322
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】パッドの静電容量を減少させるためにワイヤボンディング用のパッドの下に介在する二酸化珪素膜にクラックや剥離の問題が生ぜず、耐久性があり、信頼性の高く、かつ遮断周波数が10GHz以上である超高速の光半導体素子及びその製造方法を実現する。【構成】ワイヤに合わせて小さく作られたワイヤボンディング用のパッド10の下にパッドと同程度の大きさの二酸化珪素膜12をさらに積層する事により、パッドと対向する電極の距離を広げ、かつ比誘電率を小さくし、半導体素子の静電容量が低減される。二酸化珪素膜の下に形成されている窒化珪素膜6を二酸化珪素膜が部分的にのみ覆うので、二酸化珪素膜と窒化珪素膜の線膨張係数の違いによって生じる大部分の応力は解放され、クラックや剥離は発生しない。
請求項（抜粋）：
メサを形成した光半導体素子において、該メサの両側に形成される半導体の上部に積層される窒化珪素膜の上に島状に二酸化珪素膜又は二酸化珪素を主成分とする膜が積層され、ワイヤボンディング用のパッドが該二酸化珪素膜上に積層され、かつ該メサの上部に配置された電極と該パッドが相接しているように構成され、前記島状に形成された二酸化珪素膜の膜厚は、該光半導体素子の遮断周波数が10GHz以上となる前記パッドの容量の条件を満足しかつクラックや剥離の発生がない値に選択されていることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 27/15
