特許

J-GLOBAL ID：200903047121697809

半導体基板上の異物の分析方法

発明者： 田中 博司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-118966
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に存在するガスによるバックグランドを無くし、半導体基板を構成している元素が化合してできた異物についても構成する元素の組成を高感度で分析できる半導体基板上の異物の分析方法を得る。【構成】 容器6内に収容される半導体基板1上に所定のガス8を供給し、このガス8とともに半導体基板1上の異物2を吸引して摘出し、分析器10に導入して分析を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定のガスを供給し、上記ガスとともに上記半導体基板上の異物を吸引して摘出し、分析するようにしたことを特徴とする半導体基板上の異物の分析方法。