薄膜トランジスタ素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022072
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023101
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】多結晶薄膜トランジスタ素子の電気特性の向上と集積化を目的とする。【構成】多結晶薄膜トランジスタは多結晶半導体層と絶縁層と導電層とを有する少なくとも三層構造からなる。多結晶半導体層にはチャネル領域が形成されている。絶縁層はゲート絶縁膜を構成する。又、導電層はパタニングされておりゲート電極を構成する。この多結晶薄膜トランジスタ素子は、少なくともチャネル領域とゲート絶縁膜との間で平坦化された界面を有する。この平坦化によりチャネル領域の電荷移動度が改善できる。チャネル領域の平坦化は、多結晶半導体層の形成前の表面を平坦に形成するとともに、多結晶半導体層および絶縁層を平坦に形成することによってなされる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域を構成する多結晶半導体層と、ゲート電極を構成する導電層と、前記多結晶半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜を構成する絶縁層とから成るとともに、前記チャネル領域と前記ゲート絶縁膜と接する界面が平坦であることを特徴とする薄膜トランジスタ素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開昭63-207181
特開昭64-053460
特開昭63-237575

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