スピンホール効果素子を用いた磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-332150
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158554
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】強磁性層が1層のみで構成されるシンプルな構造のスピンホール効果素子を用いて、熱揺らぎを低減して高感度な信号検出を実現する磁気センサを得る。【解決手段】非磁性体スピンホール効果層13,非磁性絶縁体層12,強磁性層11が積層された積層膜と、非磁性体スピンホール効果層13の側面に接続された非磁性体端子対141,142と、積層膜の膜厚方向に電流を印加する手段161とを備え、非磁性体スピンホール効果層13の厚みは、非磁性体スピンホール効果層を構成する材料のスピン拡散長の2倍よりも薄く、外部磁場により磁化された強磁性層11の磁化の向きを、非磁性体端子対141,142の両端に生じる電圧の極性によって検出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非磁性体スピンホール効果層と、強磁性層と、前記非磁性体スピンホール効果層と強磁性層との間に配置された非磁性絶縁体層とを有する積層膜と、前記非磁性体スピンホール効果層の側面に接続された非磁性体端子対と、前記積層膜の膜厚方向に電流を印加する手段とを備え、前記非磁性体スピンホール効果層の厚みは、該非磁性体スピンホール効果層を構成する材料のスピン拡散長の2倍よりも薄く、外部磁場により磁化された前記強磁性層の磁化の向きを、前記非磁性体端子対の両端に生じる電圧の極性によって検出することを特徴とする磁気センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39

FI (3件)：

H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39

Fターム (29件)：

4M119AA06 , 4M119AA15 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE28 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF14 , 4M119FF15 , 5D034BA01 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5F092AA05 , 5F092AA08 , 5F092AB01 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC26 , 5F092BD03 , 5F092BD05 , 5F092BD13 , 5F092BD15 , 5F092BD20 , 5F092BD23 , 5F092GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6403999号明細書

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