特許

J-GLOBAL ID：200903047133413423

プラズマCVDによるSiO2絶縁膜の形成方法

発明者： 佐野 慶一郎 ,  野村 雅也 ,  林 成和
出願人/特許権者： スズキ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148233
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306906
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 ギャップフィル特性の良いステップカバレッジ特性を備え、膜堆積温度を軽減させ、膜中のH2 O,-OH,Cなどを低減させ、信頼性の高い高品質膜を得ることができるようにしたプラズマCVDによるSiO2 絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 プラズマCVDによるSiO2 絶縁膜の形成方法において、プラズマ発生室内でECRプラズマを発生させ、該ECRプラズマによって基板上にSiO2 絶縁膜を堆積させる時に、該基板の温度を200〜400°Cの範囲に制御しTEOSの供給速度を1.5sccm以下とした。

請求項（抜粋）：

プラズマCVDによるSiO2 絶縁膜の形成方法において、プラズマ発生室内でECRプラズマを発生させ、該ECRプラズマによって基板上にSiO2 絶縁膜を堆積させる時に、該基板の温度を200〜400°Cの範囲に制御し、かつ供給ガスの供給速度を1.5sccm以下としたことを特徴とするプラズマCVDによるSiO2 絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C