特許

J-GLOBAL ID：200903047156960421

バンプ形成方法、はんだ接合用前処理方法、はんだ接合方法、バンプ形成装置、はんだ接合用前処理装置およびはんだ接合装置

発明者： 古野 雅彦 ,  増田 二紀 ,  青木 秀夫 ,  土井 一英
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262195
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163036
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 電子部品の小型化にともなう部品電極のはんだバンプ形成に関して、安価な軟質はんだ合金を用いて、融材を使用しないため洗浄工程が不要で、信頼性面でも優れたバンプ形電極端子を形成するバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 真空チャンバ12内のプラズマ発生手段21に対しガス供給手段31よりプロセスガスを供給しながら、プラズマ発生手段21により低圧下で水素含有プラズマを発生させる。この水素含有プラズマ中に処理対象物曝し手段15により保持した処理対象物11の表面の軟質はんだ合金を曝して、水素含有プラズマを照射する。この照射と同時にまたは連続的に、軟質はんだ合金を加熱手段36により真空中でリフローする。これにより、処理対象物11の表面の軟質はんだ合金により、接続端子となるはんだバンプを形成する。

請求項（抜粋）：

処理対象物の表面に軟質はんだ合金を堆積し、この堆積された軟質はんだ合金に少なくとも水素含有プラズマを照射し、少なくとも水素含有プラズマが照射された軟質はんだ合金をリフローして処理対象物の表面に接続端子となるはんだバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 505

FI (5件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 C