特許

J-GLOBAL ID：200903047157538960

薄膜の気相成長法

発明者： 真下 正夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244757
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097076
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 設定基板温度に合わせて原料を選び、原料の使用効率を上げると同時に薄膜結晶の質も向上できる有機金属気相成長法を提供することである。【構成】 気相成長によって薄膜成長を行うに際し、同一元素供給のための複数の原料を同時に用い、基板温度に合わせて原料の混合比を変えて実質的な分解温度を制御することを特徴とする薄膜の気相成長法。

請求項（抜粋）：

気相成長によって薄膜成長を行うに際し、同一元素供給のための原料として分解温度の異なる複数の原料を用いることを特徴とする薄膜の気相成長法。