特許
J-GLOBAL ID：200903047168039532
半導体装置の過電圧制限回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312359
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170654
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】高速スイッチングを行う場合にも過電圧の制限効果が得られ、かつ過電圧制限時に流せるサ-ジ電流が大きい過電圧制限回路を得る。【構成】主直流電源3およびインダクタンス(トランス)2に直列接続されてインダクタンスに流れる電流をオンオフ制御する自己消弧形半導体装置(例えばIGBT)1のタ-ンオフ時における過電圧制限回路11が、アバランシェダイオ-ド12とそのアノ-ド側に直列接続されたシリコンサ-ジアブソ-バ13との直列回路からなり、この直列回路のアバランシェダイオ-ドを自己消弧形半導体装置の非接地主端子(ドレイン端子)側に,シリコンサ-ジアブソ-バを制御端子(ゲ-ト端子)側に接続してなるものとする。
請求項（抜粋）：
主直流電源およびインダクタンスに直列接続されてインダクタンスに流れる電流をオンオフ制御する自己消弧形半導体装置のタ-ンオフ時における過電圧の制限回路であって、アバランシェダイオ-ドとそのアノ-ド側に直列接続されたシリコンサ-ジアブソ-バとの直列回路からなり、この直列回路のアバランシェダイオ-ドを自己消弧形半導体装置の非接地主端子側に,シリコンサ-ジアブソ-バを制御端子側に接続してなることを特徴とする半導体装置の過電圧制限回路。
IPC (3件)：
H02H 7/12
, H02H 9/04
, H02M 7/537
