特許
J-GLOBAL ID：200903047169730530
グラファイト薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阿部 龍吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064946
公開番号（公開出願番号）：特開平7-002508
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：
【要約】【目的】 低温度でグラファイト薄膜を形成する。【構成】 一方の芳香環のオルト位に置換基を有するo-メチルアリールケトン等の下記の芳香族ケトン類を原料として、化学気相成長によってコバルト、ニッケル、パラジウム、白金から選ばれる基板上にグラファイト薄膜を形成する。【化1】【効果】 600°C程度の低温度での単結晶グラファイトの形成が可能である。
請求項（抜粋）：
有機物を原料とする化学気相成長によるグラファイト薄膜の形成方法において、有機物として一方の芳香環のオルト位に置換基を有する芳香族ケトンを原料とすることを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
C01B 31/04 101
, C23C 16/26
, C30B 25/02
