特許

J-GLOBAL ID：200903047170192232

スパッタリングターゲット接合体

発明者： 森下 保宏
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-376786
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181834
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】スパッタリングターゲットと銅のバッキングプレートとを接合材で接合したスパッタリングターゲット接合体において、接合力が向上した接合体を提供する。【解決手段】スパッタリングターゲットの接合面に金属あるいは合金の溶射材を一層あるいは二層、各層の厚さは0.01〜2mmの範囲で溶射する。この場合、ターゲットの材料がMoのときは溶射材はSn-Znであり、ターゲットの材料がTaのときは第一層の溶射材はMoでありその上の第二層の溶射材はSnであり、ターゲットの材料がCrのときは第一層の溶射材はNi-Crでありその上の第二層の溶射材はSnであり、ターゲットの材料がVのときは第一層の溶射材はFe-Crでありその上の第二層の溶射材はSnであり、ターゲットの材料がセンダストのときは第一層の溶射材はNi-CrあるいはFe-Crでありその上の第二層の溶射材はSnである。

請求項（抜粋）：

金属材料からなるスパッタリングターゲットと銅のバッキングプレートとを接合材で接合したスパッタリングターゲット接合体において、該スパッタリングターゲットの接合面に金属あるいは合金の溶射材を一層あるいは二層、各層の厚さは0.01〜2mmの範囲で溶射したことを特徴とするスパッタリングターゲット接合体。