特許

J-GLOBAL ID：200903047174052982

半導体装置およびその製造方法

発明者： 辻 直樹 ,  小林 清輝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301010
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133700
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 素子間分離にトレンチ分離を用いる半導体装置において、トレンチ分離形成後の酸化工程による、トレンチ内部埋め込み材の体積膨張を抑制し、半導体装置の電気特性の低下を防止し得る、製造方法および構造を提供する【解決手段】 トレンチエッチング後に、シリコン基板のトレンチ溝表面を窒化処理することで、シリコン界面に酸化防止効果に優れる薄い窒化層を形成する。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記主表面上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両隣であって前記主表面に形成された第2導電型の不純物拡散層とを有する複数のトランジスタを備えた半導体装置において、前記複数のトランジスタ間の分離が、前記半導体基板をエッチングして形成された溝を絶縁物で充填することによって形成されるとともに、前記溝の内表面の半導体を窒化した窒化層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 29/78 301 R

Fターム (27件)：

5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AC01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA58 ,  5F032DA78 ,  5F040DA02 ,  5F040DA08 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EK02 ,  5F040EK05 ,  5F040FC00 ,  5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BG14 ,  5F048BG15 ,  5F048BH07