特許
J-GLOBAL ID:200903047178258186

静磁場を使用した連続鋳造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小林 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-127938
公開番号(公開出願番号):特開平5-293620
出願日: 1992年04月22日
公開日(公表日): 1993年11月09日
要約:
【要約】【目的】 連続鋳造によって得られる鋼スラブの表面及び内部品質を大幅に改善すると共に高速鋳造を達成する。【構成】 ストレート浸漬ノズル2の吐出口4近傍部に対応する長辺壁1bの背面に静磁場発生器3を配置すると共に、さらに間隙5を設けて下方に静磁場発生器6を配置する。ストレート浸漬ノズル2から鋳型1内へ供給される溶鋼に対して静磁場発生器3の磁極領域で制動を加えて湯面を沈静化し、かつ間隙5で溶鋼の下降流を均一化し、さらに下方の静磁場発生器3によって制動を加える。
請求項(抜粋):
タンディッシュから溶鋼を、一対の短辺壁と長辺壁の組み合わせからなる連続鋳造鋳型内に、該タンディッシュとつながるノズル先端を解放したストレート浸漬ノズルを通して供給しつつ鋼スラブを連続鋳造するにあたり、ストレート浸漬ノズル吐出口近傍部に対応する上記鋳型長辺壁背面に静磁場発生器を配置し、ノズル吐出口からの吐出流速v(m/sec)〔溶鋼流量(m3/sec)/ ノズル断面積(m2)〕により吐出口鉛直下の磁束密度B(T) 及び磁場印加高さ範囲L(mm)を以下のように設定して、一方の長辺壁から他方の長辺壁に向かう静磁場を常に発生させながら鋳造することを特徴とする静磁場を使用した連続鋳造方法。吐出流速vに応じて磁束密度B及び磁場印加範囲Lの関係を、v≦0.9(m/sec)でB×L≧25、但しB≧0.07T 、L≧80mm。v≦1.5(m/sec)でB×L≧27、但しB≧0.08T 、L≧90mm。v≦2.0(m/sec)でB×L≧30、但しB≧0.09T 、L≧100mm 。v≦2.5(m/sec)でB×L≧33、但しB≧0.09T 、L≧110mm 。v≦3.0(m/sec)でB×L≧35、但しB≧0.1T、L≧110mm 。v≦3.8(m/sec)でB×L≧36、但しB≧0.11T 、L≧120mm 。v≦4.8(m/sec)でB×L≧38、但しB≧0.12T 、L≧120mm 。v≦5.5(m/sec)でB×L≧40、但しB≧0.13T 、L≧130mm 。
IPC (4件):
B22D 11/18 ,  B22D 11/04 311 ,  B22D 11/10 350 ,  B22D 11/10
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭58-055157
  • 特開昭62-003857
  • 特公平3-020295

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