特許

J-GLOBAL ID：200903047187332208

(Ba,Sr)Ti系ペロブスカイト構造酸化物薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材の製造法

発明者： 土方 研一 ,  渡辺 和男 ,  塩野 一郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106868
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277467
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 高靭性を有する(Ba,Sr)Ti系ペロブスカイト構造酸化物薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材を製造する。【構成】 スパッタリング焼結ターゲット材を、(a)原料粉末として、いずれもゾルゲル法により調製されたBa-Ti系酸化物粉末、Sr-Ti系酸化物粉末、または(Ba,Sr)Ti系酸化物粉末を用い、(b)前記原料粉末に、酸化性雰囲気中、700〜1200°Cに加熱の酸化処理を施し、(c)前記酸化処理粉末に、水素雰囲気中、450〜1300°Cに加熱の還元処理を施し、(d)前記還元処理粉末を真空ホットプレスする、前記(a)〜(d)の基本工程により製造する。

請求項（抜粋）：

(a) 原料粉末として、いずれもゾルゲル法により調製したBa-Ti系酸化物粉末、Sr-Ti系酸化物粉末、または(Ba,Sr)Ti系酸化物粉末を用い、(b) 上記原料粉末に、酸化性雰囲気中、700〜1200°Cの温度に加熱保持の条件で酸化処理を施して、粉末中の炭素含有量を1000ppm 以下にすると共に、酸素含有量を化学量論値に相当する含有量とし、(c) 上記酸化処理粉末に、水素雰囲気中、450〜1300°Cの温度に加熱保持の条件で還元処理を施して、粉末中の炭素含有量を100ppm 以下に低減すると共に、酸素含有量を化学量論値未満の含有量とし、(d) 上記還元処理粉末を真空ホットプレスして残留炭素が30ppm 以下の焼結ターゲット材を成形する、以上(a)〜(d)の基体工程からなることを特徴とする(Ba,Sr)Ti系ペロブスカイト構造酸化物薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材の製造法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ZAA ,  C04B 35/622 ,  C04B 35/46 ,  F27B 17/00 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 14/34 ZAA A ,  F27B 17/00 F ,  H01L 21/31 D ,  C04B 35/00 E ,  C04B 35/46 Z