特許
J-GLOBAL ID：200903047192081388
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277075
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107017
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置に於いて、プラズマクリーニングによるカソード表面、例えばシャワー板表面の劣化を抑止し、成膜速度の低下を防止すると共に膜厚分布特性の向上を図る。【解決手段】カソード5とアノード4間に高周波電力を印加し、反応ガスをプラズマ化して被処理基板3表面に成膜を行うプラズマCVD装置に於いて、前記カソードの下面をプラズマクリーニングガスと反応し難い材質で覆ったものであり、カソードの材質の劣化が防止され、プラズマクリーンニングによるプラズマ処理への影響がなくなり、又ガス分散室13を設けることで反応ガス流入速度が被処理基板全面に対して均一となり、膜厚分布の均一性が向上する。
請求項（抜粋）：
カソードとアノード間に高周波電力を印加し、反応ガスをプラズマ化して被処理基板表面に成膜を行うプラズマCVD装置に於いて、前記カソードの下面をプラズマクリーニングガスと反応し難い材質で覆ったことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, H01L 21/205
