特許

J-GLOBAL ID：200903047194006480

カルコパイライト型化合物薄膜の成膜方法

発明者： 佐野 寛幸 ,  平澤 洋 ,  近藤 健一 ,  中村 奨 ,  佐藤 勝昭
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社 ,  佐藤 勝昭
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199406
公開番号（公開出願番号）：特開平10-046326
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 Cu(Inx Ga1-x )(Sy Se1-y )2 薄膜を、安価な基板上に比較的低温度かつ低コストで成膜することを課題とする。【解決手段】 クラスタイオンビーム法によりCu(Inx Ga1-x )(Sy Se1-y )2 で示されるカルコパイライト型化合物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、基板を真空にした密閉容器中に置き、前記カルコパイライト型化合物の薄膜を構成する個々の材料を前記密閉容器中で噴射させ、塊状原子団を形成し、該原子団をそれぞれイオン化して加速することにより前記基板上に前記Cu(Inx Ga1-x )(Sy Se1-y )2 膜を成膜する工程において、成膜を開始した後、全成膜期間の1/3から2/3の範囲の時間が経過した時点で、Cu系合金の蒸着レートをInGa系合金の蒸着レートに対して相対的に低くすると同時に、Cu系合金のイオン化電流をInGa系合金のイオン化電流に対して相対的に高い状態にあったものから低い状態に変更するように制御する。

請求項（抜粋）：

クラスタイオンビーム法によりCu(Inx Ga1-x )(SySe1-y )2 で示される(0≦x≦1で、0≦y≦1)カルコパイライト型化合物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、基板を真空にした密閉容器中に置き、前記カルコパイライト型化合物の薄膜を構成する個々の材料を前記密閉容器中で噴射させ、真空中での断熱膨張による過冷却作用によって前記個々の材料の原子が緩く結合した塊状原子団を形成し、該原子団をそれぞれイオン化して加速することにより前記基板上に前記Cu(Inx Ga1-x )(Sy Se1-y )2 膜を成膜する工程において、成膜を開始した後、全成膜期間の1/3から2/3の範囲の時間が経過した時点で、Cu系合金の蒸着レートをInGa系合金の蒸着レートに対して相対的に低くすると同時に、Cu系合金のイオン化電流をInGa系合金のイオン化電流に対して相対的に高い状態にあったものから低い状態に変更するように制御するカルコパイライト型化合物薄膜の成膜方法。