特許

J-GLOBAL ID：200903047194748690

セラミックス基板及びその製造方法

発明者： 下田 浩平 ,  仲田 博彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025186
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 表面に形成する金属化層やポリイミド層に欠けや膨れ等の欠陥が発生せず、特に微細配線の形成に適した窒化アルミニウム基板を提供する。【構成】 副成分として周期律表2A族、3A族元素の化合物0.1〜15重量%含有するAlN焼結体からなり、研磨加工を施した表面の非球形状空孔の深さに対する長さの比が5.0以上で且つ深さが10μm以下であるセラミックス基板。このセラミックス基板は、上記副成分を含有するAlN焼結体を1kg/cm2以上の圧力で1軸加圧しながら1300°C以上で熱処理した後、研磨加工面を前記加圧軸とほぼ直角にして表面研磨加工して製造する。

請求項（抜粋）：

周期律表の2A族、3A族元素の化合物の少なくとも1種を当該元素換算で0.1〜15重量%含有し、非球形状の空孔を含む窒化アルミニウム基板であって、研磨加工を施した表面に現れている前記空孔の深さに対する長さの比が5.0以上で且つ深さが10μm以下であることを特徴とするセラミックス基板。

IPC (4件)：

C04B 41/91 ,  C04B 35/581 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (6件)：

C04B 41/91 D ,  H05K 1/03 610 E ,  C04B 35/58 104 B ,  C04B 35/58 104 F ,  C04B 35/58 104 Q ,  H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-295083
  
• 特開平2-248368