特許

J-GLOBAL ID：200903047195450961

レジストパターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  東川 巌 ,  森上 光章
出願人/特許権者： 株式会社ソルテック
代理人 (1件)： 吉原 省三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315241
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンを形成する場合に、パターン倒れの発生を有効に防止せんとするものである。【構成】 レジストパターン2a、2b現像時のリンス工程で、リンス液5を臨界状態にして乾燥させる。

請求項（抜粋）：

レジストパターン現像時のリンス工程で、リンス液又は該リンス液の置換液を臨界状態にして乾燥させることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/304 361