特許

J-GLOBAL ID：200903047196097157

基板接合方法および基板接合装置

発明者： 須賀 唯知 ,  モハメド・マティアル・ハウラダー ,  阿部 智之
出願人/特許権者： 須賀 唯知 ,  アユミ工業株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137882
公開番号（公開出願番号）：特開2004-337927
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】表面活性化接合が難しかったイオン性結晶等からなる基板同士を低温度処理により接合することができる新たな表面活性化接合技術を提供する。【解決手段】基板800a、800bを接合する基板接合装置10は、基板800a、800bが搬入される照射室100と、照射室100内で基板800a、800bの接合面へ不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス中性原子ビームと、金属イオンビームまたは金属中性原子ビームとを照射して島状の金属薄膜を作製するビーム照射部300と、を有し、前記金属薄膜を媒介として前記基板同士を表面活性化接合する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の基板同士を接合する基板接合方法であって、 真空中で各基板の接合面へ、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス中性原子ビームと、金属イオンビームまたは金属中性原子ビームとを照射して、各基板の接合面上に1nm〜100nmの膜厚の金属薄膜を形成する段階と、 各基板の接合面同士を重ね合わせることによって前記金属薄膜を媒体として前記基板同士を表面活性化接合する段階と、を有することを特徴とする基板接合方法。

IPC (7件)：

B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B29C65/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (5件)：

B23K20/00 310L ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B29C65/02 ,  H01L25/08 B

Fターム (13件)：

4E067BA00 ,  4E067DA05 ,  4E067DB01 ,  4E067DC01 ,  4E067DC04 ,  4E067EA05 ,  4E067EB00 ,  4F211AD20 ,  4F211AG03 ,  4F211TA13 ,  4F211TH02 ,  4F211TH06 ,  4F211TH24