特許

J-GLOBAL ID：200903047206700221

酸化膜及びこの酸化膜を用いた光導波路の製造方法

発明者： 井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186972
公開番号（公開出願番号）：特開平6-032621
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：

【要約】【目的】 酸化膜製造時における基板の反りの発生が少なく、しかも高屈折率、高透明度の酸化膜を形成すると共に、低損失、高精度、低コストの光導波路の製造方法を提供することにある。【構成】 基板上にSiO2 の多孔質膜を形成し、多孔質膜をNH3 雰囲気内で加熱して透明な酸化膜に形成すると共に、基板上にコア層を形成し、コア層及び基板上にコア層の屈折率より低い屈折率を有するクラッド層を形成した光導波路の製造方法において、SiO2 ガラスの屈折率と略等しい屈折率の層を有する基板上にコア層となるSiO2 の多孔質膜を形成し、多孔質膜をNH3 雰囲気中で加熱して透明な酸化膜に形成し、酸化膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより断面が略矩形状のコア層に形成し、コア層を、コア層の屈折率より低い屈折率を有するクラッド層で覆うように形成したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上にSiO2 の多孔質膜を形成し、該多孔質膜をNH3 雰囲気内で加熱して透明な酸化膜に形成したことを特徴とする酸化膜の製造方法。

IPC (3件)：

C03B 8/00 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-040742
  
• 特開平3-126629
  
• 特開昭60-114811
  
• 特開平3-274272