特許

J-GLOBAL ID：200903047208261306

半導体装置

発明者： 新開 正基
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100832
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 出力巾が広く、直線性も良く、しかも大出力の半導体装置【解決手段】 4列のFETユニット19,20,21,22を有し、各ユニットのゲ-ト電極23,26,37,40は共通ゲ-ト給電母線29,43それぞれの端部T1、T2を経て共通母線50を通してゲ-ト用パッド51に接続する。同様に各ソース電極24,27,38,41はソース用パッド31,35,47に接続し、各ドレイン電極25,28,39,42はドレイン用パッド33,36,45,49に接続する。ドレイン電圧は各ユニットに選択的に給電可能であり、各ユニットのゲート巾はLg1〜Lg4と異なるため、ドレイン電圧の給電により各ユニットのゲート巾に対応する出力が選択的に組合され、或は合成されてゲート用パッドに接続される。

請求項（抜粋）：

単位ゲ-ト電極と、該単位ゲ-ト電極を挟むように交互に配置形成された単位ドレイン電極および単位ソ-ス電極とを備える電界効果トランジスタ・ユニットが四つ並設された半導体装置において、隣接する電界効果トランジスタ・ユニットの単位ゲ-ト電極を両側に有する第一の共通ゲ-ト給電母線と、隣接する電界効果トランジスタ・ユニットの単位ゲ-ト電極を両側に有する第二の共通ゲ-ト給電母線と、該第二の共通ゲ-ト給電母線と前記第一の共通ゲ-ト給電母線が接続されるゲ-ト用パッドと、前記電界効果トランジスタ・ユニットのそれぞれにドレイン電圧を給電するための給電手段とを設け、前記各電界効果トランジスタ・ユニットの総ゲ-ト幅を異なる長さに形成するとともに、前記両共通ゲ-ト給電母線の内側には外側と比べてゲ-ト幅が短い単位ゲ-ト電極を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/095 ,  H03F 3/16

FI (4件)：

H01L 29/80 L ,  H03F 3/16 B ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/80 E

Fターム (30件)：

5F048AC01 ,  5F048BB02 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF19 ,  5F102FA02 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GS09 ,  5F102GV01 ,  5F102GV03 ,  5J092AA02 ,  5J092AA11 ,  5J092AA21 ,  5J092AA41 ,  5J092CA21 ,  5J092CA32 ,  5J092CA75 ,  5J092FA07 ,  5J092FA15 ,  5J092FA16 ,  5J092GR07 ,  5J092HA09 ,  5J092MA19 ,  5J092QA03 ,  5J092SA14 ,  5J092TA02