特許

J-GLOBAL ID：200903047213125640

太陽電池及びその製造方法

発明者： 中村 紀和 ,  藤沢 晃 ,  竹内 健司 ,  菅沼 茂明
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007355
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 pn型接合の太陽電池の製造工程でp形半導体層及び/又はn形半導体層が損傷を受け難い構造の太陽電池を提供する。【解決手段】 光透過性を有する二枚の絶縁性基板10、12が、その各々の一面側に形成された電極18、20が対向するように配置され、且つ電極18、20が形成された絶縁性基板10、12の電極形成面の間に、p型半導体層とn型半導体層とが積層されたpn接合層が形成されて成る太陽電池において、該p型半導体層が、金属化合物から成る無機半導体層14であり、n型半導体層が、有機化合物から成る有機n型半導体層16であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光透過性を有する二枚の絶縁性基板が、その各々の一面側に形成された電極が対向するように配置され、且つ前記電極が形成された絶縁性基板の電極形成面の間に、p型半導体層とn型半導体層とが積層されたpn接合層が形成されて成る太陽電池において、該p型半導体層とn型半導体層とのいずれか一方の半導体層が、金属化合物から成る無機半導体層であり、他方の半導体層が、有機化合物から成る有機半導体層であることを特徴とする太陽電池。

Fターム (7件)：

5F051AA10 ,  5F051AA11 ,  5F051AA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA03