特許
J-GLOBAL ID：200903047213651376
不揮発性半導体多値メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-144479
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 比較的少ないバッファメモリ数で多値情報を高速に書き込み可能とする。【解決手段】 入力データ1を複数(M個)同時に書き込み可能なメモリブロック41〜4Nごとに、各メモリブロックへの書き込みデータを保持するバッファメモリ21A〜2NMを、それぞれ同時書き込み数分(M個ずつ)設けるとともに、各メモリブロックの書き込み所要時間内に到達する入力データを各バッファメモリで十分保持できる数分だけメモリブロックを設けて、入力データを各バッファメモリ21A〜2NMへ順次格納するとともに、各メモリブロックに対応するM個のバッファメモリへの入力データの格納が終了した時点で、これらバッファメモリに保持されている書き込みデータのメモリブロックへの書き込みを順次開始する。
請求項（抜粋）：
多値情報を記憶するメモリセルであって、かつ比較的長い書き込み所要時間を必要とする多数のメモリセルを有し、外部から連続入力される多値情報からなる入力データをサンプリングして順次記憶する不揮発性半導体多値メモリ装置において、複数のメモリセルからなり、そのうち選択されたM(Mは正整数)個のメモリセルに対して同時に書き込み可能なN(Nは3以上の正整数)個のメモリブロックと、各メモリブロックに対応してM個ずつ設けられ、各メモリブロックに書き込む書き込みデータを一時的に保持するバッファメモリと、所定サンプリング間隔ごとに入力データをサンプリングし、任意のメモリブロックに対応するM個のバッファメモリに順次格納し、これらM個のバッファメモリすべてへの格納が終了した時点で、これらバッファメモリに格納されているM個の入力データを書き込みデータとして対応するメモリブロックに同時に書き込むとともに、この書き込みと並列して後続の入力データを新たなメモリブロックに対応するM個のバッファメモリに順次格納し、以降、メモリブロックへの書き込みデータの書き込みと、バッファメモリへの入力データの格納とを並列して繰り返し実行する制御部とを備えることを特徴とする不揮発性半導体多値メモリ装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 641
