特許

J-GLOBAL ID：200903047218441264

薄膜状半導体素子およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055582
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【構成】 絶縁性基板状に形成されたTFT等の薄膜状半導体素子において、該半導体素子の下に緩衝用絶縁膜を介して窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等からなる第1のブロッキング膜を形成し、さらに、TFTの上に第2のブロッキング膜を形成し,前記第1および第2のブロッキング膜でTFTを覆うことによって基板やその他外部からの可動イオンの侵入を阻止することを特徴とする薄膜状半導体素子およびその作製方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1のブロッキング膜と、前記ブロッキング膜上に形成された絶縁性被膜と、前記絶縁性被膜上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを包んで形成された第2のブロッキング膜を有する薄膜状半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-035961
  
• 特開昭58-164268
  
• 特開昭59-126673
  
• 特開昭58-093273