特許
J-GLOBAL ID：200903047223499467
半導体装置の膜厚測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063053
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜の膜厚を、簡単かつ正確に測定する。【構成】 FT-IRのRAS法を用い、1250cm-1の吸収ピ-クを観察し、そのピ-ク高さから、シリコン窒化膜41上に形成されたシリコン酸化膜42の膜厚を算出する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に直接、または他の膜を介して間接的に形成されたシリコン酸化膜に対して斜めに赤外光を入射し、前記シリコン酸化膜からの赤外反射光を分光し、Si-0結合に基づく吸収ピ-クの大きさから、前記シリコン酸化膜の膜厚を算出することを特徴とする半導体装置の膜厚測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01J 3/42
, H01L 27/10 311
