特許

J-GLOBAL ID：200903047240069832

半導体レーザダイオードとその製造方法

発明者： 永井 豊 ,  多田 仁史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132040
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321947
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 窓構造の半導体レーザダイオードにおいて、動作電流を増加させることなく高い光出力を可能にする。【解決手段】 n型化合物半導体第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に成長された化合物半導体活性層と、活性層上に成長されたp型化合物半導体からなり、上面に一方の共振端面から他方の共振端面に至るリッジ部が形成された第2のクラッド層とを備え、共振端面の近傍において、上記第2のクラッド層の上面から上記第1のクラッド層の途中までZnをドープして共振端面の近傍の活性層を無秩序化した窓構造の半導体レーザダイオードであって、共振端面の近傍の上記第2のクラッド層に、Siをドープした領域を形成した。

請求項（抜粋）：

n型化合物半導体からなる第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に成長された化合物半導体からなる活性層と、上記活性層上に成長されたp型化合物半導体からなり、上面に一方の共振端面から他方の共振端面に至るリッジ部が形成された第2のクラッド層とを備え、上記各共振端面の近傍において、上記第2のクラッド層の上面から上記第1のクラッド層の途中まで厚さ方向にZnをドープして上記各共振端面の近傍の活性層を無秩序化した窓構造の半導体レーザダイオードであって、上記各共振端面の近傍の上記第2のクラッド層に、Siをドープした領域を形成したことを特徴とする半導体レーザダイオード。