特許

J-GLOBAL ID：200903047246430480

半導体ウエハエッチング用バッファードフッ酸の組成測定方法

発明者： 小林 範行
出願人/特許権者： 日曹エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-334461
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 バッファードフッ酸の組成分率をリアルタイムで測定可能にし、エッチング工程を管理するに好適なバッファードフッ酸の組成測定方法を提供する。【構成】 フッ化アンモニウム濃度が10〜30wt%、フッ化水素濃度が0.5〜10wt%である混合水溶液からなる半導体ウエハエッチング用バッファードフッ酸の密度と比例する物性値及び屈折率を測定し、本発明の連立方程式に基づき各成分の組成分率を算出するようにした。

請求項（抜粋）：

フッ化アンモニウム濃度が10〜30wt%、フッ化水素濃度が0.5〜10wt%である混合水溶液からなる半導体ウエハエッチング用バッファードフッ酸の密度と比例する物性値及び屈折率を測定し、下記の(1a),(1b),(1c)式からなる連立方程式に基づき各成分の組成分率を算出する半導体ウエハエッチング用バッファードフッ酸の組成測定方法。nD =a1x1+b1x2+c1x3 ・・・・(1a)d =a2x1+b2x2+c2x3 ・・・・(1b)1 =x1+x2+x3 ・・・・(1c)但し、式中、x1はフッ化水素の組成分率、x2はフッ化アンモニウムの組成分率、x3は水の組成分率、nDは屈折率a1、b1、c1はそれぞれの組成分率の屈折率の係数、dは密度と比例する物性値、a2、b2、c2はそれぞれの組成分率の密度と比例する物性値の係数を表す。

IPC (2件)：

G01N 21/41 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

G01N 21/41 Z ,  H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特公平4-064576
  
• 特開平3-162647
  
• バブラ式密度計測方式
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-230029   出願人：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社
• 特開昭63-201553
  
• 三成分系溶液の組成測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061574   出願人：京都電子工業株式会社