特許
J-GLOBAL ID:200903047250722399

ロウ組成

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三原 靖雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-540613
公開番号(公開出願番号):特表2000-511466
出願日: 1997年05月01日
公開日(公表日): 2000年09月05日
要約:
【要約】5-15%(組成の重量による)までのフラックスを含む一時的なキャリヤー媒体を用いることによりペーストとして形成されたロウ組成であり、このロウ組成は、電子部品及びパッケージを、熱撓み温度を有する低コストの熱可塑性樹脂またはポリマーからなる基板上の回路にロウ付けするのに有用である。その組成は、(a)熱撓み温度よりも下で融解するSn-Bi-In合金系の三元又は二元の第1共晶粉末、(b)第1粉末と混合され、第1粉末と150°C以下で15分以下で反応し、熱撓み温度よりも上の温度を有する錫ベースの粉末からなる第2粉末であって、粉末は不純物としてのPb0.1%未満有し、重量比率が3:1から1:3の範囲にあるもの、及び(c)昇温状態でのロウ接合部の機械的性質を向上し、ロウ付け中における第1及び第2の粉末の冶金学的相互作用を妨げないCu,Ni,Ag,Ce,In,Bi及びAuの群から選択された別の合金化添加剤、を有する。基板に対して電子部品をロウ付けする方法もまた開示されている。
請求項(抜粋):
1.一時的フラックスを含む一時的キャリヤー媒体を用いることによりペーストとして形成されたロウ組成であって、該ロウ組成は、電子部品及びパッケージ(11)を、熱撓み温度を有する低コストの熱可塑性樹脂またはポリマーからなるプリント回路基板(12,13)へ、ロウ付けするのに有用であり、 (a)上記熱撓み温度よりも下で融解するSn-Bi-In系の三元または二元共晶または合金からなる第1粉末成分(15)、 (b)150°C以下で15分以下で反応し上記熱撓み温度よりも上の融点を持つ錫ベースの粉末からなり、上記第1粉末成分(15)と混合される第2粉末成分(16)、及び (c)昇温状態でのロウのリフロー後の機械的性質を向上し、上記第1及び第2の粉末の冶金学的相互作用を妨げないCu,Ni,Ag,Ce,In,Bi及びAuの群から選択された別の合金化添加剤 を有する。 2.請求項1に記載の組成であって、上記第2粉末は、Sn,Sn-3.5%Ag,及びSn-10%In9.5%Bi-0.5%Agの群から選択される。 3.請求項1または2に記載の組成であって、上記(c)の合金化添加剤は、ロウの重量の3%までに制限される。 4.請求項1に記載の組成であって、上記第2粉末は232°Cの融点を持ち、上記第1粉末成分は上記合金系から選択され77.5°Cの融点を有する共晶E1であって、上記組成が約150-180°Cのリフロー後の融点を持つ。 5.請求項1に記載の組成であって、第2粉末成分が図1の状態図から選択された共晶E2,E3,e1,e2,e3,e4,e5またはe6である。 6.請求項1に記載の組成であって、上記第1及び第2の粉末成分の各々の粒径は-200/+325メッシュである。 7.請求項1に記載の組成であって、上記組成は本質的に鉛無しである。 8.電子部品及びパッケージを、所定の熱撓み温度を有する低コストの熱可塑性樹脂からなる基板上の電気回路に相互接続する方法であって、該相互接続はリフロー・ロウ付けによりなされ、上記方法は、 (a)高融点粉末成分(Sn,Sn-3.5%Ag合金,またはSn-10%In9.5%Bi-0.5%Agの形態である)、上記高融点粉末成分と混合され、Sn-Bi-In系の三元または二元共晶または合金である低融点粉末成分、及び機械的性質及びリフロー後のロウ付け温度を向上させるのに有効な重量で3%までの他の合金化添加剤からなるロウ・ペースト調合を混合し、 (b)上記基板の相互接続部において特に、上記回路及び上記電子部品またはパッケージの上記密着面へ用意されたロウ・ペーストを投入し、そして (c)低温粉末成分の融点よりも上の温度まで投入されたロウ成分を加熱し、上記高温粉末成分との冶金学的相互作用を経てロウ接合を形成し、それにより上記ロウ組成のリフロー後融点を上昇させ、結果としての使用中におけるロウ接合部の機械特性を向上させる 工程を有する。
IPC (3件):
B23K 35/14 ,  B23K 35/26 310 ,  H05K 3/34 512
FI (3件):
B23K 35/14 Z ,  B23K 35/26 310 A ,  H05K 3/34 512 C

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