特許

J-GLOBAL ID：200903047258727993

半導体装置の製造方法

発明者： 古谷 晃
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021062
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219952
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、強誘電体膜・高誘電体膜を劣化させる還元性雰囲気を用いることなく、さらに膜中に電気特性を劣化させる炭素、および配線等の腐食の原因となるハロゲンを含むことのないシリコン窒化膜形成工程を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン窒化膜を形成するのに、SiF4またはSi2F6のいずれかとN2との混合気体を用いて、プラズマCVD法により温度400〜850°Cの基板上に成膜する。

請求項（抜粋）：

SiF4またはSi2F6のいずれかとN2との混合気体を用いて、プラズマCVD法により温度400〜850°Cの基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。