特許
J-GLOBAL ID：200903047259156078
マルチチップモジュール用基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065092
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 パタン幅の精度がミリ波帯でも十分使用可能なパタン幅の精度を得るとともに、低損失な回路を実現する。【解決手段】 アルミナ基板2-1,2-2は1枚ずつ単独にグリーンシートの段階でバイアホール用の穴8a,8b等の穴明けを行い、その穴へのタングステン等の導体材料の充填等の必要な加工を施した後に、1300°C以上の焼成温度で同時焼成を行う。焼成されたアルミナ基板2-1,2-2各々の導体面に対して薄膜導体形成技術によって薄膜ストリップ線路5,6を形成する。薄膜ストリップ線路5,6を接続するバイアホール8の加工を施した未焼成の低温焼成ガラス基板3をアルミナ基板2-1,2-2各々の間に挟んで低温焼成する。
請求項（抜粋）：
各々グリーンシート段階でバイアホールの穴明け及び導体ペーストの充填が行われた後に独立に高温焼成されてからバイアホールの形成及び導体面上への薄膜導体の形成が行われる第1及び第2の誘電体基板と、前記第1及び第2の誘電体基板各々の間に積層されかつ少なくとも前記第1及び第2の誘電体基板各々の前記薄膜導体間を接続するバイアホールを含むガラスセラミックス層とを有し、前記第1及び第2の誘電体基板各々と前記ガラスセラミックス層とを積層した後にこれらを低温焼成したことを特徴とするマルチチップモジュール用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/52 B
, H01L 23/12 N
