特許

J-GLOBAL ID：200903047261295093

情報記録媒体とその記録方法

発明者： 宮澤 弘 ,  根橋 聡 ,  石田 方哉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229532
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073773
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】 3次元配置の磁気記録媒体を実現する。【構成】 巨大磁気抵抗効果を用いる磁気記録媒体において、メモリセルをx-y座標で指定したx-y2次元平面に配列し、その2次元配列平面をx-y-z3次元的に積層したとき、特定平面のx-y-z座標で指定した電極線に電流を流すことで特定のメモリセルの磁化方向を反転させる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を読み出し方法に用いる情報記録媒体において、(1)情報信号の記録をつかさどるメモリセルは、基板側から見て少なくとも磁性層、非磁性層、磁性層の順に積層してなり(2)前記磁性層のうち、相対的に小さな保磁力Hc1の磁性層を磁性層1、相対的に大きな保磁力Hc2の磁性層を磁性層2としたとき、前記磁性層1、前記磁性層2は基板に平行な面内方向1、面内方向2にそれぞれ磁化容易軸を有し、(3)前記メモリセルの上方に記録用電極線1、前記メモリセルの下方に記録用電極線2を、それぞれ絶縁体層をはさんで配置し、前記記録用電極線1、前記記録用電極線2に流れる電流I1、I2は、前記基板に平行であり、かつ前記電流I1、I2と前記面内方向1とがなす角度をθ1、前記電流I1、I2と前記面内方向2とがなす角度をθ2とするとき45°≦θ1≦135°45°≦θ2≦135°であり(4)複数個の前記メモリセルを、前記基板上に2次元格子状に配列し(5)前記2次元格子の上の特定のメモリセルをx-y座標で指定し、ある特定のメモリセルのx-y座標を(n, m)であらわすとき、前記記録用電極線1をx座標nで指定し、前記記録用電極線2をy座標mで指定するように配置し(6)前記2次元格子を複数枚、基板に垂直方向であるz軸方向に積層し、前記メモリセルのうち、ある特定のメモリセルのx-y-z座標を(n, m, k)であらわすとき、(7)メモリセル(n, m, k)には、x-y座標を共通とするメモリセル(n, m, k+1)あるいはメモリセル(n, m, k-1)が存在し(8)(n, m, k)のメモリセルの記録用電極線1と、(n, m, k+1)のメモリセルの記録用電極線2は共通である以上の項目を満たすことを特徴とする情報記録媒体。