特許

J-GLOBAL ID：200903047270319230

プロトン交換された導波路の製造方法

発明者： クリスティン エレン ジオスリング ,  ヘンリー アッビンク ,  ロリー レーン ガンプ ,  フランシス ギャリィ オーゲリ
出願人/特許権者： リトン システムズ,インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-081527
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 多機能集積光チップ(「MIOC」)用のプロトン交換された導波路の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ表面に所望の大きさおよび形状のプロトン交換パターンを1つ又は複数形成し、ウェハのマスクされていない部分に、所定の最長プロトン交換時間より短い時間、プロトン交換処置を施す。マスクされていない部分の特定のパラメータが第一の所定値を達成したかどうか決定し、第一の所定値を達成するまでプロトン交換工程およびマスクされたウェハの分析工程を繰り返す。マスクまたはマスクパターンを除去し、最長アニール時間より短い時間、ウェハを熱アニールし、ウェハの特定のパラメータが第二の所定値を達成したかどうか決定する。第二の所定値を達成するまでアニール工程及びマスクされていないウェハを分析する工程を繰り返す。

請求項（抜粋）：

集積光チップの製造方法であって、(a)ニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムから成る群から選択される材料でできたウェハを準備する工程、(b)ウェハ表面をマスクし、マスクされたウェハ表面に、所望の大きさおよび形状の、マスクされたウェハ表面のマスクされていない部分から成るプロトン交換パターンを1つまたは複数形成する工程、(c)マスクされた表面のマスクされていない部分に、所定の最長プロトン交換時間よりも短い時間、プロトン交換処置を施す工程、(d)マスクされたウェハを分析し、プロトン交換処置を施した部分の特定のパラメータが第一の所定値を達成したかどうかを決定する工程、(e)第一の所定値が達成されるまで、プロトン交換処置およびマスクされた表面の分析工程を繰り返す工程、(f)ウェハからマスクを除去する工程、(g)最長アニール時間より短い時間、ウェハを熱アニールする工程、(h)マスクされていないウェハを分析し、特定のパラメータが第二の所定値を達成したかどうかを決定する工程および(i)第二の所定値が達成されるまで、アニール工程およびマスクされていないウェハの分析工程を繰り返す工程から成る方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 J