特許
J-GLOBAL ID：200903047271864347
縦型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075933
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291319
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】複数の縦型電界効果トランジスタからなるパワー半導体装置において、セルトランジスタのセルサイズを縮小し、オン抵抗を低減する。【構成】P+ 型シリコン基板101の表面上にはN- 型エピタキシャル層103からなるベース領域が設けられ、N- 型エピタキシャル層103表面からP+ 型シリコン基板101中に達するU字型の網目形状の溝104が設けられている。この溝104の底面,側面には第1の絶縁膜105,ゲート酸化膜106が設けられ、ゲート電極108はこの溝104に埋設されている。
請求項（抜粋）：
高濃度一導電型の半導体基板からなるドレイン領域と、前記半導体基板の表面上に設けられた所定膜厚の低濃度逆導電型の半導体層からなるベース領域と、前記半導体層を貫通し、底面が前記半導体基板中に存在し、規則的に配置された所定の多角形の間に所定の開口幅を有して設けられたU字型の溝と、前記溝の側面に設けられたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜の膜厚より充分厚い膜厚を有し、その上面の位置が前記半導体基板の上面の位置より低く、前記溝の底面に設けられた第1の絶縁膜と、一端が前記ゲート酸化膜を介して前記溝に隣接し,かつ該溝から所定の幅の範囲の前記半導体層の表面に設けられた高濃度一導電型のソース領域と、前記溝を覆い、前記半導体層の表面を覆う第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に設けられた前記ソース領域,および前記半導体層に達する開口部と、前記開口部を介して、前記ソース領域,および前記半導体層に接続されるソース電極と、前記半導体基板の底面に設けられたドレイン電極と、を有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 G
, H01L 29/78 321 V
