特許
J-GLOBAL ID:200903047272250423
制御装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-039103
公開番号(公開出願番号):特開2002-244932
出願日: 2001年02月15日
公開日(公表日): 2002年08月30日
要約:
【要約】【課題】 経年変化に対する信頼性を向上する制御装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の実施形態では、2つ以上の書き換え可能な不揮発性メモリ(不揮発性メモリA104、B105)から、そのデータに対する非対称性を利用して読み出しデータを演算回路106により計算している。この演算回路106をAND回路として構成することにより、ある不揮発性メモリが経年変化によって消失しても、他の不揮発性メモリのデータから元の正しいデータを読み出すことができる。また、同じサイズの場合に訂正できるデータ量もECCによる訂正方式よりも多いので、経年変化に対するデータの信頼性を高めることができる。
請求項(抜粋):
制御プログラムを格納する複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリから同時に読み込んだ値の演算結果を読み出しデータとする演算回路と、を有し、前記演算回路をAND回路として構成することにより、一部データが破損しても前記複数の不揮発性メモリに書き込まれたデータを正しく読み出せることを特徴とする制御装置。
IPC (6件):
G06F 12/16 310
, G06F 12/16
, B41J 29/38
, G03G 21/00 370
, G11C 16/06
, G11C 29/00 631
FI (6件):
G06F 12/16 310 J
, G06F 12/16 310 L
, B41J 29/38 Z
, G03G 21/00 370
, G11C 29/00 631 D
, G11C 17/00 639 Z
Fターム (19件):
2C061AP04
, 2C061HH01
, 2C061HH03
, 2C061HJ10
, 2C061HV30
, 2H027EE08
, 2H027EJ08
, 2H027EJ10
, 5B018GA04
, 5B018HA03
, 5B018HA06
, 5B018NA06
, 5B025AD00
, 5B025AD13
, 5B025AE08
, 5L106AA10
, 5L106BB01
, 5L106BB11
, 5L106GG07
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