半導体不揮発性記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011269
公開番号（公開出願番号）：特開平9-204783
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】書き込みを行うセル数を減少でき、書き込み時間を短縮できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】書き込み時に電源電圧VCCレベルに設定される判定線JDLと、並列的に入力される複数の書き込みデータに「1」データが含まれている場合には判定線JDLのレベルを接地レベルに遷移させるNMOSトランジスタNT0〜NT3と、判定線JDLのレベルに変化がない場合には、書き込みデータの位相を反転させてデータの書き込みを行い、判定線JDLのレベルが変化した場合には、書き込みデータの位相を正転状態に保持したまでデータの書き込みを行う回路60〜64と、データ書き込みが正転状態で行われたか反転状態で行われたかを記憶する補助メモリセルアレイ2を設ける。

請求項（抜粋）：

互いに逆相の第1のデータおよび第2のデータの書き込みを、複数ビットを構成する全メモリセルの電荷蓄積量を実質的に同じ状態に揃え第2のデータが書き込まれたと等価な状態にする消去動作を行った後、複数ビット並列的に、かつ、所望のメモリセルへの第1のデータの書き込みを電荷蓄積層の電荷蓄積量を調整し、しきい値を所望のしきい値に遷移させて行う半導体不揮発性記憶装置であって、書き込み時に所定レベルに設定される判定線と、並列的に入力される複数の書き込みデータに所定の数の第2のデータが含まれている場合には判定線のレベルを他のレベルに遷移させる第1の回路と、上記判定線のレベルに変化がない場合には、書き込みデータの位相を反転させてデータの書き込みを行い、上記判定線のレベルが変化した場合には、書き込みデータの位相を正転状態に保持したままでデータの書き込みを行う第2の回路と、上記第2の回路によるデータ書き込みが正転状態で行われたか反転状態で行われたかを示すデータが記録される記録部とを有する半導体不揮発性記憶装置。

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