電解メッキ用塩基性炭酸銅の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310547
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115100
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】電解銅メッキ処理するときに銅メッキ浴に銅イオンの補給剤として供給される塩基性炭酸銅を製造するにあたり、メッキに悪影響を与えるClやS04 の濃度が低い塩基性炭酸銅を得ること。【解決手段】塩化第二銅水溶液と炭酸イオンを含む水溶液とを混合して、混合液のpHを8.0〜9.0の範囲に維持すると共に、前記混合液の温度を75°C〜90°Cに維持しながら塩基性炭酸銅を生成し、この塩基性炭酸銅を固液分離しかつ洗浄することにより塩素濃度を80ppm以下とする。また塩化第二銅水溶液の代わりに硫酸第二銅水溶液を用いる場合も同様の反応条件で製造し、S04濃度が200ppm以下である塩基性炭酸銅を得る。反応温度を95°C以上とする場合には、混合液のpH制御を行わずに例えば塩化第二銅水溶液と炭酸イオンとの供給比を制御する。

請求項（抜粋）：

被メッキ体を電解銅メッキ処理するときに銅メッキ浴に銅イオンの補給剤として供給される塩基性炭酸銅を製造する方法において、塩化第二銅水溶液と炭酸イオンを含む水溶液とを混合して、混合液のpHを8.0〜9.0の範囲に維持すると共に、前記混合液の温度を75°C〜90°Cに維持しながら塩基性炭酸銅を生成する工程と、この工程により得られた塩基性炭酸銅を固液分離しかつ洗浄する工程とを、行うことにより塩素濃度が80ppm以下である塩基性炭酸銅を製造することを特徴とする電解メッキ用塩基性炭酸銅の製造方法。

IPC (3件)：

C25D 21/14 , C01G 3/00 , C25D 3/38 101

FI (3件)：

C25D 21/14 C , C01G 3/00 , C25D 3/38 101

Fターム (4件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023BA29 , 4K023DA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

特許第2753855号
特開平2-289423
特開昭49-058099

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