特許
J-GLOBAL ID：200903047281217340
マイクロ波半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307618
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111618
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 電気的な特性を劣化させずに高出力化が図れるマイクロ波半導体装置を提供すること。【構成】 半絶縁性半導体基板表面の活性領域に形成されるゲート電極1G、ドレイン電極1D及びソース電極1Sからそれぞれが構成される複数の単位電界効果トランジスタを、電気的に並列接続して構成するマイクロ波半導体装置において、各単位電界効果トランジスタのソース電極同士を繋ぐ配線を、半絶縁性半導体基板の活性領域外で少なくとも1ヶ所切断し、この切断された電極間を抵抗体20で接続している。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板表面の活性領域に形成されるゲート電極、ドレイン電極およびソース電極からそれぞれが構成される複数の単位電界効果トランジスタを、電気的に並列接続して構成するマイクロ波半導体装置において、各単位電界効果トランジスタのソース電極同士を繋ぐ配線を、前記半絶縁性半導体基板の活性領域外で少なくとも1箇所切断し、この切断箇所を抵抗で接続することを特徴とするマイクロ波半導体装置。
IPC (4件)：
H03F 3/60
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H03F 3/68
