特許
J-GLOBAL ID：200903047289364872
電界放出表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203424
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【課題】 分離層として金属層を使用することなく、別の蒸着方法を使用する煩わしさなく製造工程中の汚染による漏洩電流が防止することにある。【解決手段】 基板上にストライプ状の陰極12を形成する段階と、前記ストライプ状の陰極の形成された基板上に絶縁層13を形成する段階と、前記絶縁層上にゲート電極層14を蒸着し、所定のパターンに蝕刻して前記陰極と交叉する方向のストライプ状にゲート電極14を形成する段階と、前記ゲート電極の形成された前記絶縁層上にポリイミド層15を形成する段階と、前記ポリイミド層15上に金属を蒸着して金属層16を形成する段階と、前記金属層を所定直径の開口を形成するために蝕刻する段階と、前記ポリイミド層を前記金属層蝕刻段階で形成された開口と整列されたホールを形成するために蝕刻する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上にストライプ状の陰極を形成する段階と、前記ストライプ状の陰極の形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上にゲート電極層を蒸着し、所定のパターンに蝕刻して前記陰極と交叉する方向のストライプ状にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極の形成された前記絶縁層上にポリイミド層を形成する段階と、前記ポリイミド層上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、前記金属層を所定直径の開口を形成するために蝕刻する段階と、前記ポリイミド層を前記金属層蝕刻段階で形成された開口と整列されたホールを形成するために蝕刻する段階と、前記ゲート電極を前記ポリイミド蝕刻段階で形成されたホールと整列された開口を形成するために蝕刻する段階と、前記ゲート電極蝕刻段階で形成された開口と整列されたホールを形成するために前記絶縁層を蝕刻する段階と、前記絶縁層蝕刻段階で形成されたホール内部の陰極上に電界放出用マイクロ・チップを形成する段階と、前記金属層およびポリイミド層をリフト・オフさせる段階とを含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 31/12
, H01J 31/15
