特許
J-GLOBAL ID：200903047293271030
磁気抵抗素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185023
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086865
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 従来のSi半導体とモノリシック化するために熱処理しても、信頼性および安定性の低下を抑制できる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 330°C以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が10nm以下である磁気抵抗素子とする。この素子は、基板上に下地膜を形成し、この下地膜を400°C以上で熱処理し、この下地膜の表面にイオンビームを照射して表面粗さを低減し、強磁性層および磁性層を形成して得ることができる。非磁性層との界面から2nmの範囲の強磁性層に、M1(Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、AgおよびAuから選ばれる少なくとも1種)を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。
請求項（抜粋）：
基板と前記基板上に形成された多層膜を含み、前記多層膜が一対の強磁性層と前記一対の強磁性層の間に挟持された非磁性層とを含み、前記一対の強磁性層における磁化方向がなす相対角度により抵抗値が異なる磁気抵抗素子であって、前記基板および前記多層膜を330°C以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、前記非磁性層を厚さ方向に等分に分割するように定めた中心線から、前記一対の強磁性層と前記非磁性層との間の界面までの最長距離が20nm以下である磁気抵抗素子。ただし、前記最長距離は、長さを50nmとする10本の中心線ごとについて定めた上記界面までの最長距離から、最大値および最小値を除いて8個の最長距離を定め、さらに上記8個の最長距離の平均値をとって定める。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/14
, H01L 43/10
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 D
, H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/14
, H01L 43/10
, H01L 43/12
5D034BA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA12
