特許

J-GLOBAL ID：200903047297056761

半導体装置

発明者： 国政 一男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330310
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】バンプにテープキャリアのインナリードを熱圧着して接合する際のバンプから下部の電極パッドに加わる応力により電極パッドが変形しカバー絶縁膜にクラックを生じて外部より水分が侵入し発生する電極腐食を防止する。【構成】バンプ9の周縁部内側に相当する電極パッド3に設けた溝4内にカバー絶縁膜5の空洞6を設けることにより、バンプ9から加わる応力による電極パッド3が変形して空洞6内の電極パッド3の側面のカバー絶縁膜5にクラック11を生じた場合にもバリアメタル8を介してバンプの外縁とカバー絶縁膜5とが密着されており、外部からの水分の侵入を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した絶縁膜上に設けた電極パッドと、前記電極パッドのバンプ形成領域の周囲に形成した溝と、前記溝を含む表面に形成して前記電極パッド上のバンプ形成領域に設けた開口部および前記溝内に設けた空洞を有する絶縁膜と、バリアメタル膜を介して前記開口部の前記電極パッドと電気的に接続し且つ前記開口部周囲の前記空洞上を含む領域の前記絶縁膜上に延在して形成したバンプとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 603 F