特許
J-GLOBAL ID:200903047298140499

マスク検査装置およびマスク検査方法並びに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-117103
公開番号(公開出願番号):特開2003-315981
出願日: 2002年04月19日
公開日(公表日): 2003年11月06日
要約:
【要約】【課題】 ひさし型位相シフトマスクについても適切なパターン検査を行えるようにする。【解決手段】 光透過部と光遮蔽部との積層構造を有し、かつ、前記光遮蔽部がひさし状に張り出した部分を有するひさし型位相シフトマスク11についてのマスク検査装置に、前記光透過部側から前記ひさし型位相シフトマスク11に対して光を照射する光照射手段1と、この光照射手段1からの光の照射によって前記ひさし型位相シフトマスク11の光透過部側で得られる反射像を撮像する反射像撮像手段2と、この反射像撮像手段2による撮像結果を前記光遮蔽部が形成するパターンの基データと比較して双方の相違の有無を検出する比較処理手段6とを設ける。
請求項(抜粋):
光透過部と光遮蔽部との積層構造を有し、かつ、前記光遮蔽部がひさし状に張り出した部分を有するひさし型位相シフトマスクについてのマスク検査装置であって、前記光透過部側から前記ひさし型位相シフトマスクに対して光を照射する光照射手段と、前記光照射手段からの光の照射によって前記ひさし型位相シフトマスクの光透過部側で得られる反射像を撮像する反射像撮像手段と、前記反射像撮像手段による撮像結果を前記光遮蔽部が形成するパターンの基データと比較して双方の相違の有無を検出する比較処理手段とを備えることを特徴とするマスク検査装置。
IPC (4件):
G03F 1/08 ,  G01N 21/956 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 1/08 S ,  G03F 1/08 A ,  G01N 21/956 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (14件):
2G051AA56 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051CA04 ,  2G051CA07 ,  2G051CB01 ,  2G051CB02 ,  2G051EA12 ,  2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BD02 ,  2H095BD17 ,  2H095BD28

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