半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169713
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】高融点金属シリサイド膜形成時に固相反応を阻害する不純物の含有を防ぎ、層抵抗の低い安定なシリサイド膜を形成する。【構成】10-6〜10-2Torrの水素雰囲気中でシリコン上の自然酸化膜6を除去した後、真空を破らずにチタン膜7をスパッタしてアニールし、C49構造チタンシリサイド膜8を形成する。次に、未反応のチタン膜7を除去して熱処理し、C54構造チタンシリサイド膜9を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成した拡散層又は多結晶シリコン膜からなる電極配線の表面に形成された自然酸化膜を圧力1×10-6〜1×10-2Torrの水素雰囲気中で還元して除去する工程と、前記拡散層又は電極配線の表面を大気に晒すことなく真空容器内に保持しスパッタ法により前記拡散層又は電極配線を含む表面に高融点金属膜を堆積する工程と、熱処理により前記拡散層又は電極配線の表面に接している前記高融点金属膜を反応させて高融点金属シリサイド膜を形成し未反応の前記高融点金属膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-091417
特開平4-137621
特開平4-219928

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