特許
J-GLOBAL ID：200903047302386490
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077306
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277564
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 中間基板(インタポーザ)上にフェイスダウン方式により搭載された半導体チップを良好に且つ安価に封止する。【解決手段】 半導体チップ6と中間基板1との間にはアンダーフィル剤11が設けられ、半導体チップ6を含む中間基板1の上面には通常の樹脂封止剤からなる樹脂封止膜12が設けられている。この場合、非常に高価なアンダーフィル剤11の使用量を可及的に少なくすることができ、しかも半導体チップ6を含む中間基板1上を通常の安価な樹脂封止剤からなる樹脂封止膜12で封止しているので、中間基板1上にフェイスダウン方式により搭載された半導体チップ6を良好に且つ安価に封止することができる。
請求項（抜粋）：
基板上にフェイスダウン方式により搭載された半導体チップと前記基板との間にアンダーフィル剤が設けられ、前記半導体チップを含む前記基板上に前記アンダーフィル剤よりも粘度の高い樹脂封止剤からなる樹脂封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (2件)：
前のページに戻る
