特許
J-GLOBAL ID：200903047305848966
セルフアライン位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-125363
公開番号（公開出願番号）：特開平6-019107
出願日： 1991年04月26日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、相互のマスク合わせを問題にしなくてよいセルフアラインで位相シフト部を、容易な工程で制御性良く製造する方法に関する。【構成】透明基板1に、遮光部10と、光透過部12と、位相シフト部11aとを備えた位相シフトマスクを製造する場合に、遮光材料パターン10が形成された透明基板1上にネガレジスト層11bを全面に形成し、透明基板1の裏面から露光し、続いて現像し光透過部12上にネガレジスト層11bを残し、次いでこのネガレジスト層11b更に現像を続けて幅をせばめて遮光部10との間にサブスペース12aを形成することによって位相シフト部11aを容易にかつ高精度で得る。
請求項（抜粋）：
透明基板に、遮光部と、光透過部と、位相シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法であって、遮光材料パターンが形成された透明基板上にネガレジスト層を全面に形成し、透明基板の裏面から露光、現像して光透過部上にネガレジスト層を残し、次いで該ネガレジスト層をエッチバックして遮光部との間にサブスペースを形成して、前記ネガレジスト層を位相シフト部とすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
